Beban Induktif

Penggunaan transistor sebagai sakelar dengan beban induktif, misal relay, perlu perhatian lebih. Sebab, pada saat tegangan mulai hilang dari induktor, maka akan terjadi tegangan balik yang cukup besar. Dimana tegangan tersebut dapat merusak transistor. Guna mengatasi hal tersebut, diperlukan dioda sebagai penghubung singkat tegangan induksi yang timbul. Contoh sederhana dapat dilihat pada gambar dibawah ini:

Transistor Sakelar

Pada tulisan kali ini, ditampilkan transistor yang difungsikan sebagai sakelar. Secara sederhana dapat digambarkan sebagai berikut :

Transistor sebagai sakelar

Denyut sulut (triger pulse) perlu setinggi :

Selama terdapat denyut masukan, pada diode B-E terukur terdapat tegangan-tegangan terbalik.

Contoh perhitungan :

Kalau beban kolektor berupa R, maka pada saat transisi ke ON adalah lebih cepat daripada saat OFF. Sebab :

• Pada saat ON, kapasitas liar transistor lebih cepat membuang muatan lewat transistor yang sedang menghantar.
• Pada saat OFF, kapasitas liar perlu diisi muatan terlebih dahulu lewat Rc.
• Untuk mempercepat saat OFF, transistor perlu dijaga jangan sampai jenuh pada saat ON.
• Saat-saat switching paling cepat didapatkan dengan cara membuat transistor bekerja pada level aman, yaitu keadaan transistor yang tidak pernah tersumbat dan tidak pernah jenuh.
• Bentuk gelombang masukan tidak perlu sama dengan bentuk gelombang keluaran.
• Perubahan tegangan atau arus di sirkuit keluaran harus terjadi secepat mungkin tanpa penundaan setelah ada perubahan di siskuit masukan.

Kode Transistor

Pengkodean transistor banyak macamnya. Setidaknya terdapat 3 pengkodean transistor yang banyak digunakan. Yaitu kode yang menganut transistor-transistor buatan eropa, Transistor-transistor buatan Amerika dan transistor-transistor buatan Jepang.

Penggunaan kode-kode transistor buatan Amerika dan Jepang tidak menunjukkan fungsi dan penggunaannya. Kode-kode transistor tersebut hanya sebagai penomoran register transistor. Sedangkan transistor-transistor buatan eropa, setidaknya dapat menunjukkan fungsi kegunaan dan material semikonduktornya.

Berikut adalah kode-kode transistor standar eropa yang banyak digunakan.Pengkodean ini kadang kala tidak berlaku untuk jenis-jenis transistor moderen dengan penggunaan khusus.

Huruf pertama menyatakan material semikonduktor.

A- germanium

B- silikon

C- arsenida galium atau komponen-komponen serupa

D- antimonida indium atau komponen-komponen serupa

R- Sulfida cadmium atau komponen-komponen serupa.

Huruf kedua menyatakan penerapan piranti/transistor tersebut

A- dioda detector, dioda kecepatan tinggi, dioda pencampur

B- dioda dengan kapasitas variabel (vaicap)

C- Transistor frekwensi rendah (bukan transistor daya)

D- Transistor Daya frekuensi rendah

E- Dioda terobosan (tunnel dioda)

F- Transistor frekuensi radio, bukan daya

G- macam ragam keperluan

L- Transistor daya frekuensi radio

N- kopling foto (photo coupler)

P- detektor radiasi

Q- generator radiasi

R- piranti kemudi dan sakelar

S- transistor sakelar daya rendah

T- piranti kemudi dan switching

U- transistor sakelar daya tinggi

X- dioda pengganda

Y- Penyearah

Z- patutan tegangan.

Parameter-parameter transistor

Parameter-parameter transistor tidaklah memiliki nilai yang konstan.Meskipun tipenya sama, parameter dapat berbeda dari satu transistor ke transistor yang lainnya. Parameter transistor juga berlainan pada aplikasi arus yang berbeda.Dalam prakteknya, parameter-parameter dapat dianggap konstan.

Konduktansi, Gm :

dimana ie = arus sinyal ac diantara terminal-terminal kolektor dan emitor.

            vbe = tegangan sinyal ac antara terminal basis dan emitor.

Dalam rangkaian penguat sinyal kecil, akan berlaku persamaan sebagai berikut :

Penguatan tegangan : A = Gm x RL

                                 dimana RL = RC//RBb

Contoh perhitungan :

Transistor dengan Gm    = 25 ms/V

                                  RC    = 5 Kohm

                                  RBb = 5 Kohm

(RBb adalah perlawanan masukan rangkaian berikutnya)

Maka, Transistor  akan menghasilkan penguatan tegangan sebesar :

        A  =  Gm x RL

             =  0,025 x (5000//5000)

             =  0,025 x 2500

             = 62,5x

Untuk parameter-parameter yang lainnya, akan diperjelas pada pembahasan-pembahasan mendatang yang berhubungan dengan transistor.

Transistor Pertemuan

Asas kerja transistor pertemuan adalah :

• Akan terjadi arus diantara terminal-terminal kolektor dan emitor (arus IC) hanya apabila terdapat arus yang mengalir diantara terminal-terminal basis - emitor (arus IB).
• Perbandingan antara kuat IC dan kuat IB disebut "bandingan hantaran arus maju" (forward current transfer ratio), disingkat dengan hFE.

• Pada transistor daya harga hFE kira-kira 25 atau lebih.
• Untuk menguatkan frekuensi tinggi, biasanya mempunyai  nilai hFE pada kisaran 1000 atau lebih.
• Pada aplikasi penggunaan arus searah (DC), bandingan hantaran arus maju ditulis dengan hFE.
• Pada aplikaasi penggunaan arus bolak balik (AC), bandingan hantaran arus maju ditulis dengan hfe.
• Harga hFE dan hfe pada umumnya sangatlah berdekatan, sehingga dapat dianggap bernilai sama.